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Si5511DC
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
T A = 150 °C
0.12
0.10
I D = 4. 8 A
1
0.0 8
T A = 25 °C
0.1
0.06
T A = 125 °C
0.01
0.001
0.04
0.02
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1
2
3
4
5
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
0.1
Limited by R DS(on) *
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
Time (s)
Single Pulse Power
DC
BVDSS Limited
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
0.001
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73787
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
www.vishay.com
5
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